ハイパフォーマンスメタライゼーションキャップ層

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：牛木護 , 清水栄松 , 外山邦昭 , 吉田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218707
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049896
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】ハイパフォーマンスメタライゼーションキャップ層を提供する。【解決手段】非導電性のキャップ層を有する半導体デバイス100の、第一金属成分からなる非導電性のキャップ層112は、導電線と導電線間の絶縁材料上の、第一窒化金属、第一酸化金属、或いは、酸窒化金属からなる。界面領域114は、導電線の上表面上に形成され、界面領域114は、キャップ層の金属成分を含む。キャップ層112は、導電線中の導電材料が、近接する絶縁材料層中に移動、或いは、拡散するのを防止する。キャップ層112は、エッチ停止層としても機能する。【選択図】図4c

請求項（抜粋）：

半導体デバイスであって、ワークピースと、前記ワークピース上の第一絶縁層と、前記第一絶縁層中の少なくとも一つの第一導電線と、前記第一絶縁層と前記少なくとも一つの第一導電線上の第一キャップ層と、からなり、前記第一キャップ層は、非導電性で、少なくとも一つの第一金属成分からなることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/320 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01L21/88 B , H01L21/318 B , H01L21/318 C

Fターム (40件)：

5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033SS07 , 5F033SS11 , 5F033XX05 , 5F033XX28 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BF02 , 5F058BJ02 , 5F058BJ03

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6709874号
米国特許第6680500号

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-360027 出願人：新日本製鐵株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-068607 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-108213 出願人：株式会社日立製作所

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