特許

J-GLOBAL ID：200903032540304070

半導体装置およびその製造方法

発明者： 高藤 裕 ,  糸賀 隆志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-032891
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228762
出願日： 2004年02月10日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】接合により形成された単結晶半導体層を有する半導体装置において、単結晶半導体層の接合によって生じる表面段差を低減する。【解決手段】半導体装置600は、絶縁性表面を有する基板100と、基板100の絶縁性表面に接合された単結晶半導体層190とを備えており、基板100の絶縁性表面と単結晶半導体層190との間に位置する第1の絶縁層210と、基板100の絶縁性表面のうち、第1の絶縁層210が存在しない領域100pに堆積された第2の絶縁層230とをさらに有している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板と、前記基板の絶縁性表面に接合された単結晶半導体層とを備えた半導体装置であって、 前記基板の絶縁性表面と前記単結晶半導体層との間に位置する第1の絶縁層と、 前記基板の絶縁性表面のうち、前記第1の絶縁層が存在しない領域に堆積された第2の絶縁層と を有している半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

FI (6件)：

H01L29/78 627D ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627G

Fターム (42件)：

5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BG05 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110NN02 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特表平7-503557号公報
  

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305336   出願人：日本電気株式会社
• 液晶表示用大型基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175425   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-086999   出願人：シャープ株式会社
• 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-069414   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-041083   出願人：ソニー株式会社