特許
J-GLOBAL ID：200903032581486922
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小橋 信淳
, 小橋 立昌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374635
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207479
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】リッジ導波路6を有し窒化物系III-V族化合物半導体(例えばGaN系半導体)の薄膜が積層されて成る第1のレーザ発振部5と絶縁層5とオーミック電極層8とを有する第1の発光素子2と、リッジ導波路10を有し基板13上にIII-V族半導体(GaAs等)の薄膜が積層されて成る第2のレーザ発振部9と絶縁層11とオーミック電極層12とを有する第2の発光素子3とを備え、オーミック電極層8,12間で融着した融着金属層4の介在によって、第1のレーザ発振部5と第2のレーザ発振部9が一体に固着させることにより、レーザ発振部5,9間の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置が実現されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置であって、
所定の専有面積を有する第1のレーザ発振部と、
半導体基板上に積層形成され前記第1のレーザ発振部より大きな専有面積を有する第2のレーザ発振部とを備え、
前記半導体基板とは反対側の前記第2のレーザ発振部の面と、前記第1のレーザ発振部の発光部から近い側の面が導電性を有する接着層により接着されており、
前記接着層に固着された第1のレーザ発振部は、アルミニウム(A1)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)のうちの少なくとも1種と窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体の薄膜が積層された積層構造からることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/22 610
, H01S5/323 610
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA61
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB06
, 5F073BA05
, 5F073CA07
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073DA25
, 5F073DA35
, 5F073EA04
, 5F073EA29
, 5F073FA15
, 5F073FA16
, 5F073FA21
, 5F073FA27
