半導体装置の製造方法、シリコンインターポーザの製造方法および半導体モジュールの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-045511
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210952
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】半導体基板の裏面から表に渡り設けられる貫通穴をストレートに形成し、この穴の側壁に設けられる導電材料の被覆性を向上させる。【解決手段】半導体基板10には、絶縁層15が設けられ、その上層に形成される接続電極18は、開口部を介して、半導体基板10と電気的に接続させている。この状態で、この半導体基板10とコンタクトしている接続電極18の部分に向かって貫通穴30を形成すると、絶縁層に溜まるチャージは、接続電極18を介して放出させることができ、ストレートな貫通穴が形成できる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体材料から成り、表面には半導体素子を構成する拡散領域が形成されている半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された絶縁膜と、前記半導体基板を露出する絶縁膜の開口部と、前記絶縁膜の上に被覆され、前記開口部に露出する前記半導体基板と接合部を有する金属膜とを有する基板を用意し、前記基板の裏面から前記接合部に到る前記半導体基板をプラズマエッチングして貫通穴を形成する半導体装置の製造方法であり、前記プラズマにより生成されるチャージを前記金属膜を介して放出しながら前記貫通穴を形成する事を特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 23/12 , H01L 23/32 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/88 J , H01L23/12 501P , H01L23/32 D , H01L21/302 105A

Fターム (32件)：

5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004EB08 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033QQ07 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033SS11 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT07 , 5F033XX00 , 5F033XX03

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-040403 出願人：三洋電機株式会社, 株式会社東芝, 富士通株式会社, 日本電気株式会社

審査官引用 (4件)

反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法及び反応性イオンエッチングにより形成された貫通孔を有する基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-315903 出願人：株式会社フジクラ
半導体チップ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-191407 出願人：新光電気工業株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-241675 出願人：株式会社ザイキューブ

全件表示

前のページに戻る