特許

J-GLOBAL ID：200903038064247975

半導体装置及びその製造方法

発明者： 亀山 工次郎 ,  鈴木 彰 ,  岡山 芳央 ,  梅本 光雄 ,  高橋 健司 ,  寺尾 博 ,  星野 雅孝
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  株式会社東芝 ,  富士通株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-040403
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235858
出願日： 2004年02月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】 半導体装置及びその製造方法において、信頼性の向上を図る。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板1上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜等から成る絶縁層2を介して形成されたパッド電極3を被覆するように前記半導体基板1の表面に接着された支持板5と、前記半導体基板1の裏面から前記パッド電極3の表面に到達するように形成されたビアホール8とを有するものにおいて、前記半導体基板1の裏面に近い部分の開口径よりも前記パッド電極の表面に近い部分の開口径が広いことを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁層を介して形成されたパッド電極を被覆するように前記半導体基板の表面に接着された支持板と、前記半導体基板の裏面から前記パッド電極の表面に到達するように形成されたビアホールとを有する半導体装置において、 前記半導体基板の裏面に近い部分のビアホールの開口径よりも前記パッド電極の表面に近い部分のビアホールの開口径が広いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/3205 ,  H01L23/12

FI (2件)：

H01L21/88 J ,  H01L23/12 501P

Fターム (29件)：

5F033HH08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK23 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033NN29 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F033XX12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 集積回路デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-530942   出願人：シェルケースリミティド

審査官引用 (8件)

• 基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-419970   出願人：株式会社フジクラ
• 集積回路デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-530942   出願人：シェルケースリミティド
• 半導体チップの製造方法および半導体チップならびに半導体モジュール、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-371188   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203023   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-007277   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-111571   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-313739   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-220620   出願人：シャープ株式会社