半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-322486
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158627
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】フォノン吸収を利用し、格子欠陥の発生や形状の変化を伴わずに不純物の活性化を行う。【解決手段】シリコンに対して16〜17μmの波長を有するレーザビーム42を照射すると、多重フォノン格子吸収が生じる。レーザビーム42により供給されたエネルギーが周辺に拡散する前に、その照射部での固相エピタキシーが完了するため、結晶化はレーザビーム42が照射されている局部のみで生じ、照射されていない部分では生じない。余分な吸熱が生じない。また局部的な溶融・凝固といった相変態を伴わない。【選択図】図24

請求項（抜粋）：

(a)半導体に第1導電型を与える第1不純物を前記半導体に導入して第1不純物層を得る工程と、 (b)前記第1不純物層下の前記半導体に対してコヒーレント光を照射する工程とを備え、前記コヒーレント光は前記半導体に多重フォノン格子吸収を生じさせる波長を有する、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/265 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78

FI (6件)：

H01L21/265 602C , H01L21/265 602B , H01L21/20 , H01L21/28 301S , H01L29/78 301S , H01L29/78 301P

Fターム (49件)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB20 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104DD84 , 4M104DD91 , 4M104FF14 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F052AA02 , 5F052AA13 , 5F052AA24 , 5F052BA01 , 5F052BA14 , 5F052BA18 , 5F052BB07 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F140AA13 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG20 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG45 , 5F140BH14 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK19 , 5F140BK20 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CE18 , 5F140CF00 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体薄膜及びその製膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-016363 出願人：株式会社自由電子レーザ研究所
ダイヤモンドの改質方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-190511 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭61-218131

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