特許

J-GLOBAL ID：200903032722850704

研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法

発明者： 浅野 宏 ,  北村 忠浩 ,  酒井 謙児 ,  伊奈 克芳
出願人/特許権者： 株式会社フジミインコーポレーテッド
代理人 (1件)： 佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236447
公開番号（公開出願番号）：特開2002-047483
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2002年02月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造におけるCMP加工プロセスにおいて、銅膜に対する研磨速度が大きくタンタル含有化合物に対する研磨速度が小さく高い選択比を有し、かつ平滑性に優れた被研磨面を得ることができ、品質および生産性の向上を図ることのできる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨材と、ヒスチジンおよびその誘導体またはいずれか1種と、過酸化水素と、水とを含んでなる研磨用組成物であって、それを用いて少なくとも銅からなる層とタンタル含有化合物からなる層とを有する半導体デバイスを研磨する方法である。

請求項（抜粋）：

(a)研磨材と、(b)ヒスチジンおよびその誘導体またはいずれか1種と、(c)過酸化水素と、(d)水とを含んでなることを特徴とする研磨用組成物。

IPC (6件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/306 M

Fターム (12件)：

3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07 ,  5F043GG03 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• タングステンの蝕刻抑制剤を含むポリシング組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-212514   出願人：キャボットコーポレイション
• 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-342123   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 化学機械研磨組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-305347   出願人：東京磁気印刷株式会社
• 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-322450   出願人：日立化成工業株式会社
• 化学機械的研磨系及びその使用方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-517627   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション