特許
J-GLOBAL ID:200903032737239408
エピタキシャルに成長させた量子ドット材料を有する太陽電池
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
開口 宗昭
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-548059
公開番号(公開出願番号):特表2007-519237
出願日: 2005年01月20日
公開日(公表日): 2007年07月12日
要約:
導電性基板上に、直列に配置された複数のサブセルを備えたモノリシック半導体光起電太陽電池。複数のサブセルのうちの少なくとも一つのサブセルがエピタキシャルに成長させた自己組織化量子ドット材料を含んでいる。サブセルは、トンネル接合を介して電気的に接続されている。各々のサブセルは、有効バンドギャップエネルギーを有している。サブセルは、有効バンドギャップエネルギーが大きくなる順に配置され、最も低い有効バンドギャップエネルギーを有するサブセルが、基板に最も近い。ある場合には、各サブセルが、ほぼ同量の太陽光子を吸収するよう設計されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
直列に配置された複数のサブセルを備え、複数のサブセルがエピタキシャルに成長させた自己組織化量子ドット材料を含む少なくとも一つのサブセルを有するモノリシック多接合半導体光起電太陽電池。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L31/04 Y
, H01L31/04 E
Fターム (11件):
5F051AA08
, 5F051AA16
, 5F051CB11
, 5F051DA03
, 5F051DA04
, 5F051DA11
, 5F051DA13
, 5F051DA16
, 5F051DA19
, 5F051DA20
, 5F051GA04
引用特許:
審査官引用 (9件)
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太陽電池およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-334752
出願人:シャープ株式会社
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積層型太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-010863
出願人:住友電気工業株式会社
-
積層型太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-122827
出願人:シャープ株式会社
-
特開平3-285363
-
太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-091701
出願人:沖電気工業株式会社
-
量子ドットの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-239194
出願人:富士通株式会社
-
光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-138557
出願人:富士通株式会社
-
光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-034896
出願人:シャープ株式会社
-
高効率シリコン-ゲルマニウム太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-374692
出願人:ダイムラークライスラーアクチエンゲゼルシャフト
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