特許
J-GLOBAL ID：200903032737239408

エピタキシャルに成長させた量子ドット材料を有する太陽電池

発明者：
ファファード・サイモン

ファファード・サイモン について


出願人/特許権者：
シリアム・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

シリアム・テクノロジーズ・インコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-548059
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519237
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
導電性基板上に、直列に配置された複数のサブセルを備えたモノリシック半導体光起電太陽電池。複数のサブセルのうちの少なくとも一つのサブセルがエピタキシャルに成長させた自己組織化量子ドット材料を含んでいる。サブセルは、トンネル接合を介して電気的に接続されている。各々のサブセルは、有効バンドギャップエネルギーを有している。サブセルは、有効バンドギャップエネルギーが大きくなる順に配置され、最も低い有効バンドギャップエネルギーを有するサブセルが、基板に最も近い。ある場合には、各サブセルが、ほぼ同量の太陽光子を吸収するよう設計されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
直列に配置された複数のサブセルを備え、複数のサブセルがエピタキシャルに成長させた自己組織化量子ドット材料を含む少なくとも一つのサブセルを有するモノリシック多接合半導体光起電太陽電池。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 Y ,  H01L31/04 E
Fターム (11件)：
5F051AA08 ,  5F051AA16 ,  5F051CB11 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051DA11 ,  5F051DA13 ,  5F051DA16 ,  5F051DA19 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • 太陽電池およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334752   出願人：シャープ株式会社
  • 積層型太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-010863   出願人：住友電気工業株式会社
  • 積層型太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-122827   出願人：シャープ株式会社
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審査官引用 (10件)
  • 太陽電池およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334752   出願人：シャープ株式会社
  • 積層型太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-010863   出願人：住友電気工業株式会社
  • 積層型太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-122827   出願人：シャープ株式会社
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