特許
J-GLOBAL ID：200903032745796863
半導体光増幅器およびその製造方法ならびに光通信デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河宮 治
, 石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-367126
公開番号（公開出願番号）：特開2005-135956
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 光フィルタなどの光デバイスを使用しなくても良好な光出力波形が得られる半導体光増幅器およびその製造方法ならびに光通信デバイスを提供する。【解決手段】 半導体光増幅器10は、基板11と、基板11のリッジ上に設けられた活性層12と、活性層12の上に設けられた下クラッド層13と、電流ブロック層14,15と、上クラッド層16と、2つの溝17aで構成されるメサ構造17と、上クラッド層16および溝17aの表面に設けられた電気絶縁膜18と、上クラッド層16と電気的に接触した表面電極19などで構成され、活性層12のキャリア寿命τがτ≦0.3nsを満たし、活性層12の微分利得dg/dnがdg/dn≦4×10-16cm2を満たすことによって、光出力波形のオーバーシュートを解消できる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
入射した光を増幅するための活性層と、
活性層にキャリアを注入するための電極とを備え、
活性層のキャリア寿命τが、τ≦0.3nsを満たし、
活性層の微分利得dg/dnが、dg/dn≦4×10-16cm2を満たすことを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/50 610
, H01S5/026 616
5F073AA22
, 5F073AB12
, 5F073AB21
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073DA14
, 5F073DA35
, 5F073EA13
出願人引用 (3件)
審査官引用 (15件)
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