特許

J-GLOBAL ID：200903048868084691

GaN系半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-023403
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192701
出願日： 2007年02月01日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

【課題】高耐圧、低リークのGaN系半導体積層構造を有するGaN系半導体素子を提供する。【解決手段】基板1の上に第3n型GaN系半導体層3、第1n型GaN系半導体層4、i型GaN系半導体層5、p型GaN系半導体層6、第2n型GaN系半導体層7が積層された積層構造で表される。p型GaN系半導体層6の不純物濃度は、1×1020 cm-3以下であり、第1n型GaN系半導体層4の不純物濃度は1×1018cm-3以下に構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも第1のn型又はi型のGaN系半導体層、p型不純物を含むGaN系半導体層、第2のn型又はi型のGaN系半導体層を順に備えたGaN系半導体素子であって、前記p型不純物を含むp型GaN系半導体層の不純物濃度は1×1020cm-3以下であり、前記第1のn型又はi型のGaN系半導体層の不純物濃度は1×1018cm-3以下であることを特徴とするGaN系半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08

FI (8件)：

H01L29/78 626A , H01L29/78 652T , H01L29/78 653B , H01L27/08 102A , H01L27/08 102E , H01L27/08 331E , H01L29/78 652H , H01L29/78 618B

Fターム (50件)：

5F048AA05 , 5F048AC06 , 5F048BA03 , 5F048BA06 , 5F048BA10 , 5F048BA15 , 5F048BA17 , 5F048BB20 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD06 , 5F048BD07 , 5F048CB07 , 5F110AA04 , 5F110AA07 , 5F110AA11 , 5F110BB12 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG17 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG44 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK11 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK27 , 5F110HK34 , 5F110HM02 , 5F110HM07 , 5F110HM12

引用特許：

出願人引用 (1件)

III族窒化物半導体を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003368 出願人：株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-105163 出願人：ユーディナデバイス株式会社
半導体装置
公報種別：再公表公報出願番号：JP2005011623 出願人：日本電気株式会社, 古河電気工業株式会社
エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-301301 出願人：株式会社東芝

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