フォトマスク、半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037254
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247606
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】シフタ幅の制限解消が容易になると共に、ゲート配線パターンの細り、断線及び後退の発生や、ゲート電極パターンの歪みを防止し、デバイス面積のシュリンク処理も容易となり、極微細ゲートの寸法均一性を向上させる。【解決手段】ゲート電極及びゲート配線からなるゲートを形成するに際して、第1のマスク1及び第2のマスク2を用いた二重露光処理により、ゲート電極パターン12のみを形成した後、第3のマスク3を用いた露光処理により、ゲート配線パターン13を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極及びゲート配線からなるゲートを形成するに際して、第1のマスク及び第2のマスクを用いた二重露光処理により、ゲート電極パターンのみを形成する工程と、第3のマスクを用いた露光処理により、ゲート配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/027 , G03F1/08 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (6件)：

H01L21/30 514A , G03F1/08 A , G03F1/08 D , H01L21/28 D , H01L29/78 301G , H01L29/58 G

Fターム (37件)：

2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BB06 , 4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD62 , 4M104DD71 , 4M104EE09 , 4M104FF07 , 4M104FF11 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F046AA13 , 5F046AA25 , 5F046BA03 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF42 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG38 , 5F140BG39 , 5F140BG53 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CC02 , 5F140CE07 , 5F140CE13

引用特許：

審査官引用 (13件)

露光方法ならびにそれを用いたデバイスおよびデバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-066879 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-113198 出願人：ソニー株式会社
電極と配線との組み合わせ構造およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-000668 出願人：沖電気工業株式会社

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