半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080300
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244017
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】ルテニウム膜の低抵抗化を図り信頼性を向上させた半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関するものである。【解決手段】RuチャンバF1は、基板Sを還元性ガス雰囲気の下で加熱するとともに、その還元性ガス雰囲気にビス(2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム錯体を含む原料を供給して基板Sにルテニウム膜を形成する。そして、熱処理チャンバF2は、RuチャンバF1から搬送される基板Sをさらに加熱する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ルテニウム膜を有する半導体装置の製造方法であって、還元性ガス雰囲気の下で基板を加熱するとともに前記還元性ガス雰囲気にビス(2-メトキシ-6-メチル-3,5-ヘプタンジオナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム錯体を供給して前記基板にルテニウム膜を形成する工程と、前記ルテニウム膜をさらに加熱する工程と、を備えること、を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/02 , C23C 16/18

FI (6件)：

H01L21/285 C , H01L21/88 B , H01L21/88 R , H01L21/88 M , H01L21/02 Z , C23C16/18

Fターム (41件)：

4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA01 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD78 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104GG16 , 4M104GG19 , 4M104HH05 , 4M104HH08 , 4M104HH16 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033JJ07 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033QQ73 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033VV16 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-364082 出願人：ソニー株式会社
金属膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-031334 出願人：JSR株式会社

審査官引用 (7件)

有機ルテニウム錯体及び当該ルテニウム錯体を用いたルテニウム薄膜の製造法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2007064713 出願人：宇部興産株式会社
特願2008-526820
出願番号：特願2008-526820
特願2007-008680
出願番号：特願2007-008680

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