特許

J-GLOBAL ID：200903033111509124

半導体装置の製造方法

発明者： 島田 浩行
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324451
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093674
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 導電層を垂直あるいはほぼ垂直に異方性エッチングできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体層の上方に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上方にタンタルおよび窒化タンタルの少なくともいずれかを含む導電層を形成する工程と、SiCl4とNF3と酸素系物質とを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、を含む。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

半導体層の上方に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の上方に、IVa,VaおよびVIa族金属、およびこれらの金属の窒化物から選択される少なくとも1種を含む導電層を形成する工程と、 SiCl4とNF3と酸素系物質とを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、 を含む、半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

FI (9件)：

H01L21/302 104C ,  H01L21/28 E ,  H01L21/285 S ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/88 D ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617L

Fターム (181件)：

4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB17 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB37 ,  4M104CC05 ,  4M104DD41 ,  4M104DD66 ,  4M104DD67 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG19 ,  4M104HH14 ,  5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA13 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F033HH03 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033LL06 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX03 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB17 ,  5F048BC16 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG05 ,  5F048BG13 ,  5F048DA20 ,  5F048DA27 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF23 ,  5F140BF24 ,  5F140BF28 ,  5F140BF30 ,  5F140BF33 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG30 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CE10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-348663   出願人：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-141133   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体デバイスのエツチング方法およびエツチング物質
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-269462   出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテツド

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-141133   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-389093   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭64-082533
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-112221   出願人：セイコーエプソン株式会社, 大見忠弘