特許
J-GLOBAL ID:200903033168160632
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 村松 貞男
, 風間 鉄也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-297733
公開番号(公開出願番号):特開2005-066727
出願日: 2003年08月21日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】複数の基板を組み合わせてなる半導体装置において、基板間のギャップが小さい場合でも基板間の多数の接続部位のすべての点で接続可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100はミラー基板110と配線基板130と金属部材150とから構成されている。ミラー基板110は、MEMS技術によりシリコンから作製された基板で、枠部材112と可動ミラー114とそれらを接続しているヒンジ116と下面に設けられた導電性薄膜118とを有している。配線基板130は、複数の凹部132と、凹部132の底面に設けられた電極134と、可動ミラー114と対向する駆動電極144とを有している。金属部材150は、配線基板130の凹部132の深さよりも高い背を有している。金属部材150は、例えば金バンプで、加熱圧接により配線基板130の電極134とミラー基板110の導電性薄膜118とを電気的かつ機械的に接合する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
少なくとも一つの面に形成された第一の電極を有する第一の基板と、
一つの面に形成された凹部と、凹部の底面に設けられた第二の電極とを有する第二の基板と、
第一の基板の第一の電極と第二の基板の第二の電極との間に位置する金属部材とを有し、
金属部材は、その背が第二の基板の凹部の深さよりも高く、第一の基板の第一の電極と第二の基板の第二の電極とを電気的かつ機械的に接合していることを特徴とする、半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (4件):
2H041AA14
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ08
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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