特許
J-GLOBAL ID：200903033235629225

強誘電体キャパシタをもつ半導体装置及びその製造方法

発明者：
近藤 正雄

近藤 正雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-223051
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041425
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 大きな分極量を維持し、且つ、リーク電流が低く、しかも、より薄い強誘電体膜で構成された強誘電体キャパシタをもつ半導体装置を提供しようとする。【解決手段】 半導体基板上に下部電極24E、上部電極27E、そして、下部電極24Eと上部電極27Eの間に挟まれた強誘電体膜26Cで構成された強誘電体キャパシタが形成された半導体装置に於いて、該強誘電体キャパシタに於ける少なくとも一方の電極である上部電極27Eと強誘電体膜26Cとの界面に於ける強誘電体膜26C側に該強誘電体の主成分と組成を異にし、且つ、該主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンであるNbイオンを含有させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上に二つの電極及び該二つの電極間に挟まれた強誘電体膜で構成された強誘電体キャパシタが形成された半導体装置に於いて、 該強誘電体キャパシタに於ける少なくとも一方の電極と強誘電体膜との界面に於ける強誘電体膜側に該強誘電体の主成分と組成を異にし、且つ、該主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを含有させてなること を特徴とする強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (1件)：
H01L27/10 444B
Fターム (13件)：
5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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