特許
J-GLOBAL ID：200903033539453280

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
青山 知憲

青山 知憲 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-093989
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303894
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】シリコン基板との界面特性に優れた絶縁膜を形成し、高性能の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に第1の絶縁膜としてのシリコン酸化膜8を形成し、この上に第2の絶縁膜としてのハフニウム珪酸化膜9を形成する。シリコン酸化膜8の膜厚は1nm以下であり、オキサイド含有量は30%以下である。シリコン酸化膜はシリコン酸窒化膜であってもよい。また、膜厚が1nm以下であり酸素含有量が0.1atom%未満であるシリコン窒化膜であってもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜とを有する半導体装置であって、 前記第1の絶縁膜は、膜厚が1nm以下でありサブオキサイドの含有量が30%以下であるシリコン酸化膜であり、 前記第2の絶縁膜は高誘電率絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78
FI (5件)：
H01L21/316 S ,  H01L21/318 A ,  H01L21/318 C ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G
Fターム (63件)：
5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF43 ,  5F140BF45 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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