特許
J-GLOBAL ID：200903033658923626
埋め込み配線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-142721
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343794
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 埋め込み配線となる導電膜に対するCMPにおいて過度のオーバー研磨を行なわなくても、埋め込み配線同士が電気的に短絡しないようにする。【解決手段】 第1の絶縁膜11にホール12を形成した後、ホール12の内部を含む第1の絶縁膜11の上にタングステン膜13を堆積し、該タングステン膜13第1回目のCMPを行なってプラグ14を形成する。第1の絶縁膜11に対して、第1の絶縁膜11に対する研磨レートがプラグ14に対する研磨レートよりも大きい研磨レートで第2回目のCMPを行なって、第1の絶縁膜11に形成されているエロジョン(表面段差A)を解消しておいてから、該第1の絶縁膜11の上に第2の絶縁膜を堆積する。次に、第2の絶縁膜に配線溝を形成した後、該第2の絶縁膜の上に銅膜を堆積し、その後、銅膜に対して第3回目のCMPを行なって、銅膜よりなる埋め込み配線を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に堆積された第1の絶縁膜にホールを形成する工程と、前記ホールを含む前記第1の絶縁膜上に第1の導電膜を堆積した後、前記第1の導電膜に対して第1回目のCMPを行なって、前記第1の導電膜よりなるプラグを形成する工程と、前記第1の絶縁膜に対して、前記第1の絶縁膜に対する研磨レートが前記第1の導電膜に対する研磨レートよりも大きい研磨条件で第2回目のCMPを行なって、前記第1の絶縁膜のプラグ密集領域に形成されているエロジョンを解消して前記第1の絶縁膜を平坦化する工程と、平坦化された前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を堆積した後、前記第2の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、前記配線溝を含む前記第2の絶縁膜の上に第2の導電膜を堆積した後、前記第2の導電膜に対して第3回目のCMPを行なって、前記第2の導電膜よりなる埋め込み配線を形成する工程とを備えていることを特徴とする埋め込み配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 622
H01L 21/304 622 X
, H01L 21/88 K
5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033JJ08
, 5F033JJ09
, 5F033JJ11
, 5F033JJ12
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN15
, 5F033PP06
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033TT02
, 5F033WW02
