特許
J-GLOBAL ID：200903033759625626

III族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
伊藤 潤

伊藤 潤 について

, 
佐藤 壽朗

佐藤 壽朗 について

, 
和田 直樹

和田 直樹 について

, 
酒井 士郎

酒井 士郎 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について

, 
ナイトライド・セミコンダクター株式会社

ナイトライド・セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-435411
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197293
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】紫外線発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、内部量子効率を向上させ、素子内部の応力を緩和して転位やクラックの発生を防止又は抑制すること。【解決手段】多重層(62,63,64)はそれぞれ何れも、堆積層6aと量子井戸層6bと量子障壁層6cとを順次積層して形成されている。量子井戸層の組成成分にインジウム(In)を含めたことと、各量子井戸層の直下にSiNから成る堆積層を斑状または島状に堆積させたこととの相乗効果により、量子井戸層におけるバンドギャップの空間的ゆらぎを適度、かつ、確実に得ることができる。また、量子井戸層の組成成分にインジウム(In)を含めることにより、量子井戸層の応力に対する柔軟性が向上するが、n型クラッド層の超格子構造は、素子内部の応力を緩和する作用をも奏するので、これらの相乗効果によっても、量子井戸層に転位やクラックが減り、発光強度が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物系化合物半導体を結晶成長によって複数層積層することにより形成される多重量子井戸構造の活性層を有する半導体発光素子において、 前記活性層を構成する量子井戸層は、 Alz Iny Ga1-z-y N(0≦z<1,0<y<1,0<z+y≦1)から形成されており、 前記量子井戸層はそれぞれ何れも、 その直下に斑状または島状に積層された堆積層を有し、 前記堆積層は、 少なくとも、前記量子井戸層に生じる転位の平均発生周期よりも短い周期で、離散的に堆積されている ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/205
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
Fターム (22件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB33 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA57 ,  5F045DA60
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3285341号公報
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM