薄膜多層電極、高周波伝送線路、高周波共振器及び高周波フィルタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140056
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326608
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、以上の問題点を解決して、表面に凹凸やポアがあるセラミック誘電体基板上に形成することができ、しかも従来例と同等の表皮効果の抑圧効果を得ることができる薄膜多層電極を提供する。【解決手段】誘電体基板上に、薄膜導体膜と薄膜誘電体膜とが交互に積層された薄膜多層電極であって、上記薄膜多層電極が誘電体基板上に誘電体基板の表面を平坦にするように成膜された平坦化誘電体膜を含んでなり、かつ薄膜導体膜と薄膜誘電体膜の各膜厚を、使用周波数において、平坦化誘電体膜が形成された誘電体基板に生じる電磁界の位相と各薄膜誘電体膜に生じる電磁界の位相とが互いに実質的に一致するように、所定の式で表される誘電体基板の実効誘電率εm(eff)に基づいて設定した。

請求項（抜粋）：

誘電体基板上に、薄膜導体膜と薄膜誘電体膜とが交互に積層された薄膜多層電極であって、上記薄膜多層電極が、上記誘電体基板上に上記誘電体基板の表面を平坦にするように形成された平坦化誘電体膜を含んでなり、かつ上記薄膜導体膜と上記薄膜誘電体膜の各膜厚が、所定の使用周波数において、上記平坦化誘電体膜が形成された誘電体基板に生じる電磁界の位相と上記各薄膜誘電体膜に生じる電磁界の位相とが互いに実質的に一致するように設定されたことを特徴とする薄膜多層電極。

IPC (4件)：

H01P 3/18 , H01L 27/01 301 , H01P 3/08 , H01P 7/08

FI (4件)：

H01P 3/18 , H01L 27/01 301 , H01P 3/08 , H01P 7/08

引用特許：

審査官引用 (9件)

高周波半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-192166 出願人：松下電器産業株式会社
薄膜回路用表面処理AlN基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-261162 出願人：三菱マテリアル株式会社
窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-272807 出願人：東洋アルミニウム株式会社

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