特許
J-GLOBAL ID：200903033788830131
半導体薄膜および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044659
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294280
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【目的】 IGFET に匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。【構成】 結晶化を助長する触媒元素を利用して結晶化した結晶シリコン膜で活性層を形成し、ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い触媒元素を除去する。この様な工程を経た活性層は特異な結晶構造体で構成される。この結晶構造体では結晶粒界における全ての結合手に対する不整合結合手の割合が5%以下(好ましくは3%以下)であるという特徴がある。
請求項（抜粋）：
少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界における全ての結合手に対する不整合結合手の割合が5%以下であることを特徴とする半導体薄膜。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 627 G
