特許
J-GLOBAL ID：200903033817368280

III族窒化物基板の製造方法および半導体装置

発明者：
北岡 康夫

北岡 康夫 について

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峯本 尚

峯本 尚 について

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木戸口 勲

木戸口 勲 について

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石橋 明彦

石橋 明彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-007185
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244307
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】 キャリア面内濃度のばらつきが少なく、結晶の成長速度が速いIII族窒化物基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の製造方法は、(i)基板上に、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1である)で表される半導体からなり表面に(0001)面が存在する半導体層(シード層12)を形成する工程と、(ii)上記半導体層の(0001)面に対して傾斜した面となるように、上記半導体層の表面を加工する工程と、(iii)窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素と溶剤とを含む融液に上記半導体層の表面を接触させることによって、少なくとも1つのIII族元素と窒素とを反応させて上記半導体層上にIII族窒化物結晶(GaN単結晶13)を成長させる工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層の上方に形成されたIII族窒化物結晶とを備えるIII族窒化物基板であって、 前記半導体層が、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1である)で表される半導体からなり、 前記半導体層の表面が、(0001)面のステップが階段状に配置された一方向に傾斜した面であり、 前記傾斜した面と前記(0001)面とのなす角度が、0.05°以上であり、 さらに、前記半導体層上に形成されたIII族窒化物結晶のキャリア濃度の面内ばらつきが、キャリア濃度の平均値の1/5以上5倍以下であるIII族窒化物基板。
IPC (6件)：
C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  C30B19/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (41件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  4G077QA71 ,  4G077QA72 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F052CA10 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA06 ,  5F053AA03 ,  5F053BB08 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053PP08 ,  5F053RR20 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA02 ,  5F073DA05
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • GaN単結晶の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-097551   出願人：科学技術振興事業団
審査官引用 (4件)
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