加熱装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶良之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-351579
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151737
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路製造プロセスで使用される減圧CVD装置やアニール装置などに備えられてICを形成するウェハの加熱処理を行うに際し、ウェハの均一な加熱とウェハの急速な昇温・降温を行うことができるとともに、ウェハの大量処理が行えること。【解決手段】反応容器11内に配されるガラス状炭素製円筒体1と、反応容器11の外側に配設され、ガラス状炭素製円筒体1を発熱させることにより反応容器11内のウェハ12を加熱するための高周波誘導コイル2とを備えていることを特徴とする加熱装置。

請求項（抜粋）：

反応容器内に配されるガラス状炭素製筒体と、前記反応容器の外側に配設され、前記ガラス状炭素製筒体を発熱させることにより前記反応容器内の被加熱物を加熱するための高周波誘導コイルとを備えていることを特徴とする加熱装置。

IPC (3件)：

H05B 6/10 381 , C23C 16/46 , H01L 21/205

FI (3件)：

H05B 6/10 381 , C23C 16/46 , H01L 21/205

Fターム (21件)：

3K059AA08 , 3K059AB26 , 3K059AD02 , 3K059AD05 , 3K059AD07 , 3K059AD40 , 3K059CD72 , 4K030CA12 , 4K030KA24 , 4K030KA46 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045BB08 , 5F045DP05 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EK02 , 5F045EK24 , 5F045EK25

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭64-082518
基板加熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-336592 出願人：東横化学株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-163087 出願人：株式会社デンソー

全件表示

前のページに戻る