特許
J-GLOBAL ID：200903033892353531
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高田 守
, 高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-324190
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085367
出願日： 2007年12月17日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】垂直ビーム拡がり角を小さくして高出力動作時の端面劣化を少なくし、放熱体側への熱移動を良くすることにより高出力動作時における信頼性を高める。【解決手段】一主面を有するヒートシンク24と、このヒートシンク24の主面上に配設されたn-AlGaAsクラッド層30と、このn-AlGaAsクラッド層30の上に配設されたAlGaAs活性層34と、このAlGaAs活性層34の上に配設されたp-AlGaAsクラッド層38とを備え、AlGaAs活性層34のヒートシンク24側の主面とn-AlGaAsクラッド層30のヒートシンク24側の主面との間の実効屈折率及び熱抵抗をAlGaAs活性層34のヒートシンク24と反対側の主面とp-AlGaAsクラッド層38のヒートシンク24と反対側の主面との間の実効屈折率及び熱抵抗よりそれぞれ小さくした。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
一主面を有する放熱体と、
この放熱体の主面上に配設され、この放熱体の主面に対向する第1の主面およびこの第1の主面と互いに対向する第2の主面を有する第1導電型の第1の半導体層と、
この第1の半導体層の第2の主面上に配設され、上記第1の半導体層の第2の主面に対向する第1の主面およびこの第1の主面と互いに対向する第2の主面を有する活性層と、
この活性層の第2の主面上に配設され、上記活性層の第2の主面に対向する第1の主面およびこの第1の主面と互いに対向する第2の主面を有する第2導電型の第2の半導体層とを備えるとともに、上記第1の半導体層及び第2の半導体層が屈折率の減少に伴って熱伝導率が増加する材料により構成され、上記第1の半導体層の屈折率が上記第2の半導体層の屈折率より小さく設定され、上記活性層の第1の主面と上記第1の半導体層の第1の主面との間の実効屈折率が上記活性層の第2の主面と上記第2の半導体層の第2の主面との間の実効屈折率より低く、かつ上記活性層の第1の主面と上記第1の半導体層の第1の主面との間の熱抵抗が上記活性層の第2の主面と上記第2の半導体層の第2の主面との間の熱抵抗より小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F173AA02
, 5F173AA13
, 5F173AA57
, 5F173AF04
, 5F173AF24
, 5F173AF40
, 5F173AH02
, 5F173AH13
, 5F173AR68
, 5F173AR72
出願人引用 (3件)
-
半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-035732
出願人：三菱電機株式会社
-
半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-179206
出願人：ソニー株式会社
-
半導体レーザー
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-297918
出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
