半導体装置とその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-182905
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005516
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】 SJ構造がセル領域と終端領域の両者に形成されている半導体装置において、セル領域の耐圧よりも終端領域の耐圧の方が高く調整された半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置10は、終端領域16の半導体中間層26の表面上に形成されているリサーフ層29と、リサーフ層29のセル領域14側の表面に形成されている終端コンタクト半導体領域48と、終端コンタクト半導体領域48より反セル領域側のリサーフ層29の表面上にセル領域14側で厚みが薄く反セル領域側で厚みが厚くなるように調整されているフィールド酸化膜36と、終端コンタクト半導体領域48の表面上から薄層フィールド酸化膜32を越えて厚層フィールド酸化膜34の表面上にまで伸びているフィールドプレート53を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

縦型半導体スイッチングセル群が形成されているセル領域とそのセル領域の周辺に位置している終端領域を備えている半導体装置であって、第1導電型の不純物を含む半導体下層と、半導体下層の表面上に形成されており、厚み方向に伸びるとともに第1導電型の不純物を含む第1部分領域と厚み方向に伸びるとともに第2導電型の不純物を含む第2部分領域の組合せが前記厚み方向に対して直交する面内において繰返されているスーパージャンクション構造を有する半導体中間層と、終端領域の半導体中間層の表面上に形成されており、第2導電型の不純物を低濃度に含む終端半導体上層と、終端半導体上層のセル領域側の表面に形成されており、第2導電型の不純物を高濃度に含む終端コンタクト半導体領域と、終端コンタクト半導体領域より反セル領域側の終端半導体上層の表面上に形成されており、セル領域側で厚みが薄く反セル領域側で厚みが厚く調整された絶縁層と、終端コンタクト半導体領域の表面上から薄く調整された絶縁層を越えて厚く調整された絶縁層の表面上にまで伸びている導電層と、を備えている半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (4件)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652N , H01L29/78 652P , H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-074633 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-352335 出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-021596 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-001282 出願人：富士電機株式会社

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