半導体の障壁層の製造方法及び障壁層を備えた半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：神戸正雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196555
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087643
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】簡単にして信頼性の高い方法により接点プラグ上に障壁層を生成する。【解決手段】接点プラグ(16)の酸化を回避すべく半導体(10)の接点プラグ(16)上に障壁層(28;30a)を配置する。予構造化金属遷移材料(30)と少なくとも1つの反応対象(32)との化学反応によって障壁層(28;30a)を生成する。

請求項（抜粋）：

半導体に配置され、かつ少なくともほぼ半導体の主要面にまで達する接点プラグ上での障壁層の製造方法において、障壁層(28;30a)が、予構造化された金属遷移材料(30)と少なくとも1つの反応対象(32)との化学反応によって形成されることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-202284 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭63-003436
配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-155528 出願人：ソニー株式会社

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