特許
J-GLOBAL ID：200903034041430661
金属ウェーハ平坦化方法及び装置を用いた高度電解研磨(AEP)
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363214
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203179
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 高スループットで良好な品質の基板表面を製造する基板平坦化の方法及び装置を提供することが、本発明の利点である。【解決手段】 高度電解研磨(AEP)方式において、金属ウェーハ(10)は陽極電極として働き、別の金属板(65)が陰極電極として使用される。定められた陽極分解電流密度のもとで陽極と陰極に電圧差が印加される。これによって金属ウェーハ上の平坦化表面を与える反応が起こる。添加剤が電解液(55)中に含まれ、ウェーハ表面に吸着して基板表面上のより高い地点でより高い除去速度を、基板表面上のより低い地点でより低い除去速度を促す。
請求項（抜粋）：
導電層の下にあるバリア層を含む基板の研磨方法であり、基板を、バリア層がほぼ露出するまで高度電解研磨(AEP)し、平坦化表面を形成することと、基板を、バリア層が基板の平坦化表面からほぼ除去され、選択された量の導電性物質を含む平滑な表面を残すまで化学機械研磨することを備える基板の研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, B23H 3/00
, B23H 3/08
H01L 21/304 622 X
, B23H 3/00
, B23H 3/08
