特許
J-GLOBAL ID：200903016468669101

AlGaInPエピタキシャルウエーハ及びそれを製造する方法並びにそれを用いた半導体発光素子

発明者：
山崎 潤一

山崎 潤一 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-183354
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008058
出願日： 2001年06月18日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 導電率が高くて質の良い、また発光波長に対して透明で発光が吸収されることなく、発光効率を大幅に改善 することができる電流拡散層を実現し、特性が安定した、生産性の高い半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 2種類の不純物元素をドープしたエピタキシャル成長層で電流拡散層を構成し、発光部との格子不整合による格子歪みの影響を極力排除し、かつ導電率が高く発光波長に対して透明な電流拡散層を有するエピタキシャルウエーハを得ることにより、発光効率を大幅に向上させた半導体発光素子とすることを可能にした。電流拡散層内における2種類の不純物元素の濃度分布を、特定の条件に規制することにより実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたリン化アルミニウム・ガリウム・インジウム(AlGaInP)からなる発光部を備え、該発光部上に該発光部からの光に対して透明である電流拡散層を有する発光素子であって、該電流拡散層中に最高濃度がそれぞれ1×1017個/cm3 以上である複数の不純物元素を含有することを特徴とするAlGaInPエピタキシャルウエーハ。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 B ,  H01L 21/205
Fターム (24件)：
5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07 ,  5F045AA04 ,  5F045AB11 ,  5F045AB18 ,  5F045AC19 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA59
引用特許：
審査官引用 (12件)
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