特許
J-GLOBAL ID：200903034057514270

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者：
中川 敦

中川 敦 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-125323
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183906
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 窒化物半導体層に形成される制御電極のショットキ特性におけるリーク電流を大幅に低減し、窒化物半導体層内での衝突イオン化を抑制することにより高耐圧化を実現し、また周波数分散を抑制することができる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に積層した窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に積層した窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備えた窒化物半導体装置であり、第2の窒化物半導体層は、その成長温度を低く設定することにより、絶縁特性の優れた微結晶構造とする。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなることを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (6件)：
H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J
Fターム (32件)：
4M104AA04 ,  4M104AA08 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104GG12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA03 ,  5F045DA52 ,  5F045DA66 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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