特許
J-GLOBAL ID：200903034159327997
窒化ガリウム系化合物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-318336
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303417
出願日： 2005年11月01日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】<0001>面に対して所定方向にその表面が0°より大きく、1°より小さい傾斜角ほど傾いたAlxInyGa1-x-yN基板(11)(0≦x≦1、0≦y≦1、そし及び0≦x+y≦1)と、基板(11)の表面上に成長された窒化ガリウム系化合物半導体層(20)とを備える窒化ガリウム系化合物半導体素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
<0001>面に対して所定方向にその表面が0°より大きく、1°より小さい傾斜角ほど傾いたAlxInyGa1-x-yN基板(0≦x≦1、0≦y≦1、及び0≦x+y≦1)と、
前記基板の表面上に成長された窒化ガリウム系化合物半導体層と、
を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 5/343
, H01L 33/00
, H01L 31/10
, H01L 21/205
H01S5/343 610
, H01L33/00 C
, H01L31/10 A
, H01L21/205
5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB18
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045CA09
, 5F045CA13
, 5F049MB07
, 5F049NA18
, 5F049QA04
, 5F049SS04
, 5F049SS09
, 5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AH47
