特許
J-GLOBAL ID：200903081673445590

垂直共振器型発光素子及びその製造方法

発明者：
横川 俊哉

横川 俊哉 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006556
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064484
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 低しきい値電流で発振する垂直共振器型半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板11の上に、n型ZnSe層12、ZnCdSe井戸層とZnSeバリア層とから構成される多重量子井戸層13、及びp型ZnSe層14を順次積層する。p型ZnSe層14の両側には、電流を狭窄するための多結晶ZnO埋込層15が配置されている。レーザ発振を得るための反射鏡として、p型ZnSe層14の上とGaAs基板14をエッチングして露出させたn型ZnSe層12の表面とに、多結晶SiO2層と多結晶TiO2層とから構成される多層膜反射鏡17p及び17nがそれぞれ形成されている。さらに、ZnO層15の上には反射鏡17pを覆うようにp型AuPd電極16が、またn型GaAs基板の裏面にはn型AuGeNi電極18が、それぞれ設置されている。
請求項（抜粋）：
II-VI族半導体材料からなるエピタキシャル層の上に形成された、電流を狭窄するZnO層を備える、垂直共振器型発光素子。
IPC (5件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/086
FI (6件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/086
引用特許：
審査官引用 (21件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM