特許
J-GLOBAL ID:200903034504119537
電力用半導体素子及び半導体電力変換装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-249679
公開番号(公開出願番号):特開2007-068302
出願日: 2005年08月30日
公開日(公表日): 2007年03月15日
要約:
【課題】冷却性能を大幅に向上し且つ信頼性及び製造性に優れた小型の電力用半導体素子及び半導体電力変換装置を提供する。【解決手段】1相の上側アームを構成する複数の第1半導体チップ171及び181と、1相の下側アームを構成する複数の第2半導体チップ174及び184と、複数の第1半導体チップの正極側に接合した第1導体11と、複数の第2半導体チップの負極側に接合した第2導体12と、複数の第1半導体チップの負極側及び複数の第2半導体チップの正極側に接合した第3導体13と、複数の第1半導体チップ及び複数の第2半導体チップの熱を放熱する放熱手段15とを備え、複数の第1半導体チップ及び複数の第2半導体チップと第1導体11〜第3導体13との各接合面が、放熱手段15の表面に対して非平行となるように、第1導体11,第2導体12,第3導体13,複数の第1半導体チップ及び複数の第2半導体チップを配置した。【選択図】図1
請求項(抜粋):
1相の上側アームを構成する複数の第1半導体チップと、
1相の下側アームを構成する複数の第2半導体チップと、
前記複数の第1半導体チップの正極側に接合した第1導体と、
前記複数の第2半導体チップの負極側に接合した第2導体と、
前記複数の第1半導体チップの負極側及び前記第2半導体チップの正極側に接合した第3導体と、
前記複数の第1半導体チップ及び前記複数の第2半導体チップの熱を放熱する放熱手段と、
を備え、前記複数の第1半導体チップと前記第1導体との接合面,前記複数の第1半導体チップと前記第3導体との接合面,前記複数の第2半導体チップと前記第3導体との接合面及び前記複数の第2半導体チップと前記第2導体との接合面の各接合面が、前記放熱手段の表面に対して非平行となるように、前記第1導体,前記第2導体,前記第3導体,前記複数の第1半導体チップ及び前記複数の第2半導体チップを配置したことを特徴とする電力用半導体素子。
IPC (4件):
H02M 7/515
, H01L 23/34
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (3件):
H02M7/515 Z
, H01L23/34 A
, H01L25/04 C
Fターム (18件):
5F136BA03
, 5F136DA22
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136EA25
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5H007AA06
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB05
, 5H007CC23
, 5H007DA05
, 5H007DB01
, 5H007DC02
, 5H007HA03
, 5H007HA04
, 5H007HA05
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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