特許
J-GLOBAL ID：200903023373786409

積層型半導体装置およびその組み立て方法

発明者：
下井田 良雄

下井田 良雄 について

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篠原 俊朗

篠原 俊朗 について

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林 哲也

林 哲也 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-301565
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140068
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】小型化に有利な積層型半導体装置およびその組み立て方法を提供する。【解決手段】第1主面側にドレイン電極を有し、第2主面側にソース電極とゲート電極を有するパワートランジスタ1〜6が複数積層されて成る積層型半導体装置において、各パワートランジスタ1〜6のドレイン電極、及びソース電極とゲート電極は、それぞれバスバー7〜11に電気的に接続され、積層されたパワートランジスタ1〜6の間では、向かい合う主面側同士が共通のバスバー8〜10に接続されている構成。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1主面側に第1の主電極を有し、第2主面側に第2の主電極を有する半導体素子を形成する半導体チップが複数積層されて成る積層型半導体装置において、前記各半導体チップの第1の主電極及び第2の主電極はそれぞれ金属配線層に電気的に接続され、積層された前記半導体チップの間では、向かい合う前記主面側同士が共通の金属配線層に接続されていることを特徴する積層型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00
FI (2件)：
H01L25/04 C ,  H01L27/00 301A
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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