特許

J-GLOBAL ID：200903034665270618

ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法

発明者： 安藤 寿浩 ,  蒲生 美香 ,  蒲生 秀典
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  凸版印刷株式会社
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264225
公開番号（公開出願番号）：特開2006-076851
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】高い表面平滑性及び導電性を有するダイヤモンド膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、3×1018cm-3以上の窒素を含むことを特徴とする。このダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び0.5%以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたCVD法により製造することが出来る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、3×1018cm-3以上の窒素を含むことを特徴とするダイヤモンド膜。

IPC (4件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 26/00 ,  G01N 27/30

FI (4件)：

C30B29/04 W ,  C23C16/27 ,  C23C26/00 C ,  G01N27/30 B

Fターム (37件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA05 ,  4G077TK01 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA28 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030LA11 ,  4K044AA01 ,  4K044AA11 ,  4K044AA12 ,  4K044AA13 ,  4K044BA18 ,  4K044BB10 ,  4K044BC14 ,  4K044CA14 ,  5F045AA09 ,  5F045AA10 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB18 ,  5F045DA68

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公平2-22900号公報
  
• ダイヤモンド電極を用いた複数被測定物質の濃度測定方法および濃度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-111811   出願人：イムラ・ジャパン株式会社, 藤嶋昭, 橋本和仁, 魚崎浩平

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-075678
  
• 半導体ダイヤモンド及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-214192   出願人：住友電気工業株式会社
• 導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-183292   出願人：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-226235   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平3-205399
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• The structure and electrochemical behavior of nitrogen-containing nanocrystalline diamond films depo