特許
J-GLOBAL ID：200903034792645272

シリコンウェーハの洗浄方法

発明者：
田中 紀通

田中 紀通 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-132617
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329691
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 短時間でニッケル濃度を低下させることができるシリコンウェーハの洗浄方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハ1の表面に酸化膜3を形成する酸化膜形成洗浄と、該形成した酸化膜3を除去する酸化膜除去洗浄とを、他の薬液洗浄を挟まずに複数回繰り返す。酸化膜形成洗浄は、オゾン水、SC1洗浄液、SC2洗浄液のいずれかを用いて酸化膜3を形成する工程である。酸化膜除去洗浄は、前記酸化膜形成洗浄後のシリコンウェーハ1の酸化膜3をフッ酸を用いて除去する洗浄である。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成する酸化膜形成洗浄と、該形成した酸化膜を除去する酸化膜除去洗浄とを、他の薬液洗浄を挟まずに複数回繰り返すことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647
FI (2件)：
H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 647 Z
引用特許：
審査官引用 (5件)
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