特許
J-GLOBAL ID：200903034869391287
半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
松浦 孝
, 小倉 洋樹
, 野中 剛
, 虎山 滋郎
, 坪内 伸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-092799
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251934
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】粘着剤残渣物の発生を抑制可能であり、ウエハ回路面等に対する凹凸追従性があって、研削時の研削水等のウエハ回路面への浸入を防止可能な半導体チップの製造方法を実現する。【解決手段】ウエハの回路面を紫外線硬化型ウエハ保護テープ12で覆った状態で、ウエハ裏面を研削し、ウエハを多数のチップ20に分割、個片化する。そして、紫外線硬化型ウエハ保護テープ12に紫外線を照射し、紫外線硬化型粘着剤層16を硬化させる(硬化工程)。硬化工程において、酸素濃度が10%以下の環境で紫外線硬化型粘着剤層16を硬化させることにより、紫外線硬化型ウエハ保護テープ12をチップ20から容易に剥離可能とし、さらにチップ20の端部等に紫外線硬化型粘着剤層16の一部が残留することを防止する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体回路が形成された回路面に溝を有するウエハに、表面保護シートの紫外線硬化型粘着剤層が前記回路面を覆うように貼着された状態で、前記ウエハの裏面が研削されて前記溝により分割されたチップが形成される半導体チップの製造方法において、
酸素濃度が10%以下の環境において前記表面保護シートに紫外線を照射して前記紫外線硬化型粘着剤層を硬化させる硬化工程を備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 M
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 P
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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