成膜装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228047
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053030
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】載置台の裏面側への成膜ガスの流入を防止することができる処理装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対して成膜処理を施す成膜装置20において、真空引き可能になされた処理容器22と、前記被処理体を載置する載置台24と、処理ガスを前記処理容器内へ供給する処理ガス供給手段72と、前記被処理体を加熱する加熱手段26と、昇降可能になされて前記被処理体の周縁部と部分的に当接しつつ僅かな隙間の第1ガスパージ用間隙50を形成するリング状のクランプリング部材40と、前記載置台の裏面側を区画して不活性ガスパージ室47を形成する区画壁44と、前記不活性ガスパージ室へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段54と、前記区画壁の上端面と前記クランプリング部材の外周端の下面との間に形成される第2ガスパージ用間隙52とを備える。これにより、載置台の裏面側への成膜ガスの流入を防止する。

請求項（抜粋）：

被処理体に対して成膜処理を施す成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器と、前記被処理体を載置する載置台と、処理ガスを前記処理容器内へ供給する処理ガス供給手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、昇降可能になされて前記被処理体の周縁部と部分的に当接しつつ僅かな隙間の第1ガスパージ用間隙を形成するリング状のクランプリング部材と、前記載置台の裏面側を区画して不活性ガスパージ室を形成する区画壁と、前記不活性ガスパージ室へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記区画壁の上端面と前記クランプリング部材の外周端の下面との間に形成される第2ガスパージ用間隙とを備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (7件)：

H01L 21/285 , C23C 16/18 , C23C 16/44 , C23C 16/458 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/18 , C23C 16/44 J , C23C 16/458 , H01L 21/205 , H01L 21/31 B , H01L 21/302 B

Fターム (45件)：

4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA01 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030EA04 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA03 , 4K030JA10 , 4K030KA05 , 4K030LA01 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104HH20 , 5F004AA14 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BB18 , 5F004BB21 , 5F004BB22 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004BC08 , 5F004BD04 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AF02 , 5F045AF07 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EM03 , 5F045EM05 , 5F045EM07

引用特許：

審査官引用 (6件)

成膜処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225211 出願人：東京エレクトロン株式会社
成膜方法ならびにその装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-174591 出願人：株式会社日立製作所
CVD装置のシャワーヘッドノズル
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-128460 出願人：日本酸素株式会社

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