低抵抗p型SrTiO3の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087069
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274373
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】これまで、低抵抗のp型SrTiO3 を作成することは困難であった。SrTiO3 について、低抵抗p型化することができれば、すでに実現している低抵抗n型のSrTiO3 と組み合わせることにより酸化物エレクトロニクスへの道が開ける。【構成】ペロブスカイト型遷移金属酸化物SrTiO3 の結晶成長中にアクセプターとドナーを同時にドーピングする。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型遷移金属酸化物SrTiO3 の結晶成長中にアクセプターとドナーを同時にドーピングすることを特徴とする低抵抗p型SrTiO3 の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/24 , C30B 29/32 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 29/24 , C30B 29/32 C , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 631

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077BC42 , 4G077DB01 , 4G077EB01 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045DA60 , 5F045DA66 , 5F045DP03 , 5F083AD12 , 5F083FR01 , 5F083JA14 , 5F083JA47 , 5F083JA60 , 5F103AA01 , 5F103BB23 , 5F103DD30 , 5F103JJ01 , 5F103KK10

引用特許：

審査官引用 (4件)

キャパシタ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-061862 出願人：株式会社東芝
高誘電率材料へのコンタクト構造および形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-060931 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
薄膜誘電材料用Pb置換ペロブスカイト材料形成方法及びこの材料を含む構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-127339 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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