中性粒子ビーム処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山内梅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-295132
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139364
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】ビーム強度が強く、かつそのエネルギ制御を容易に行うことのできる微細なパターンの形成に好適な中性粒子ビーム処理装置を提供する。【解決手段】高周波電界の“オン”と“オフ”を交互に繰り返してプラズマ室11内に多量の負イオンを生成する。グリッド電極15により電界を生成して負イオンをエッチング室12に引出し加速して負イオンビーム17を形成する。プラズマ源21からの電子ビーム25を交叉領域26で負イオンビームに照射して中性化し、中性粒子ビーム27を得る。これを基板18に照射してエッチングを行う。高周波電界の“オン”と“オフ”を繰り返すことで多量の負イオンを定常的に生成できる。また負イオンは電子を遊離して中性化し易いので、十分な強度の中性粒子ビームを得ることができる。さらにグリッド電極15の印加電圧により、容易に中性粒子ビームのエネルギを制御できる。

請求項（抜粋）：

高周波電界の印加と印加の停止を交互に繰り返すことで処理ガスをプラズマ化するプラズマ化手段と、このプラズマ化手段によって生成されたプラズマから負イオンを引き出すとともに所定方向に向かって加速して負イオンビームを形成する負イオン引出し手段と、この負イオン引出し手段によって形成された負イオンビームを中性化して中性粒子ビームを形成する中性化手段と、この中性化手段によって形成された中性粒子ビームの照射される位置に表面処理を施すべき被処理材料を保持する被処理材料保持手段とを具備することを特徴とする中性粒子ビーム処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , C23F 4/00 , H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/302 Z , C23F 4/00 C , H01L 21/304 341 D

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭62-108525
中性粒子ビームエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-184824 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭62-108525

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