特許

J-GLOBAL ID：200903035297356210

半導体装置の配線用金属薄膜及び半導体装置用配線、並びにこれらの製造方法

発明者： 大西 隆 ,  水野 雅夫 ,  武田 実佳子
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (4件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-375237
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180173
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】半導体埋込型配線の製造に用いられる金属薄膜であって、高温高圧処理時に優れた高温流動性を示すと共に、電気抵抗率が低く、高品質を安定して発揮する半導体装置用配線を得ることのできる半導体装置の配線用金属薄膜、およびこれを用いて得られる半導体装置用配線を提供する。【解決手段】Nを0.4at%以上2.0at%以下含むCu合金からなるものであることを特徴とする半導体装置の配線用金属薄膜、および半導体基板上の凹部を有する絶縁膜上に、上記金属薄膜を形成後、高温高圧処理して該金属薄膜を上記凹部内に埋め込むことにより形成されることを特徴とする半導体装置用配線。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

高温高圧処理による半導体装置用埋込型配線の製造に用いられる金属薄膜であって、Nを0.4at%以上2.0at%以下含むCu合金からなるものであることを特徴とする半導体装置の配線用金属薄膜。

IPC (2件)：

H01L 23/52 ,  H01L 21/320

FI (1件)：

H01L21/88 M

Fターム (25件)：

5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ32 ,  5F033LL08 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ86 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電極配線の製造方法及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-232719   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-227808   出願人：日本電気株式会社
• 配線膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-183875   出願人：株式会社神戸製鋼所

審査官引用 (3件)

• 配線膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-063921   出願人：株式会社神戸製鋼所, 日本真空技術株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-221872   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-077625   出願人：NECエレクトロニクス株式会社