特許

J-GLOBAL ID：200903035327445387

圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド

発明者： 樋口 天光 ,  岩下 節也 ,  角 浩二 ,  村井 正己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344533
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152233
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 下部電極として(110)配向のルテニウム酸ストロンチウムを用いた場合に最適な層構成を備えた圧電アクチュエータを提供する。【解決手段】 Si基板20と、前記Si基板上に形成された、SiO2若しくはZrO2、又はSiO2とZrO2との積層構造からなる振動板30と、前記振動板上に形成された、(100)配向のイットリア安定化ジルコニア、CeO2又はZrO2からなるバッファ層32と、前記バッファ層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する(110)配向のルテニウム酸ストロンチウムを備えた下部電極42と、前記下部電極上に形成された、(110)配向のPZTからなる圧電体層43と、前記圧電体層上に形成された上部電極44と、を備える。

請求項（抜粋）：

Si基板上に形成された、SiO2若しくはZrO2、又はSiO2とZrO2との積層構造からなる振動板と、前記振動板上に形成された、(100)配向のイットリア安定化ジルコニア、CeO2又はZrO2からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する(110)配向のルテニウム酸ストロンチウムを備えた下部電極と、前記下部電極上に形成された、(110)配向のPZTからなる圧電体層と、前記圧電体層上に形成された上部電極と、を備えた、圧電アクチュエータ。

IPC (5件)：

H01L 41/08 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187

FI (4件)：

H01L 41/08 D ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/08 U

Fターム (11件)：

2C057AF52 ,  2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AG91 ,  2C057AP23 ,  2C057AP32 ,  2C057AP34 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AP54

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 酸化物電極薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-304036   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-253480   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-095422   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体薄膜およびその形成方法とこれを用いた強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-030043   出願人：松下電器産業株式会社
• 圧電体薄膜素子、これを用いたインクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンタ、並びに、圧電体薄膜素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-011405   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 圧電アクチュエータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-008232   出願人：株式会社リコー