不揮発性半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289761
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126490
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】ビット線電位と基準電位との間の電位差を大きくし、従来に比べ読み出しマージンを大きくし得る不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】列線BLにドレインが接続されたメモリセル1と、列線を充電するための負荷トランジスタ5と、メモリセルからのデータの読み出し時に基準電位と列線の電位とを比較してメモリセルに記憶されたデータを検出するセンスアンプ部と、負荷トランジスタの電流供給能力を第1の電流供給能力に設定してメモリセルからデータを読み出し、この読み出し結果に対応して負荷トランジスタの電流供給能力を第1の電流供給能力よりも大きい第2の電流供給能力に設定するか/第1の電流供給能力よりも小さい第3の電流供給能力に設定するかを決定し、負荷トランジスタを第2あるいは第3の電流供給能力に設定してメモリセルからデータを読み出す回路とを具備する。

請求項（抜粋）：

行線と、列線と、前記行線にゲートが接続され、前記列線にドレインが接続されたメモリセルと、前記列線に接続され、前記列線を充電するための負荷トランジスタと、前記メモリセルからのデータの読み出し時に基準電位と前記列線の電位とを比較して前記メモリセルに記憶されたデータを検出するセンスアンプ部と、前記負荷トランジスタの電流供給能力を第1の電流供給能力に設定して前記メモリセルからデータを読み出し、この読み出し結果に対応して前記負荷トランジスタの電流供給能力を前記第1の電流供給能力よりも大きい第2の電流供給能力に設定するか/前記第1の電流供給能力よりも小さい第3の電流供給能力に設定するかを決定し、前記負荷トランジスタを前記第2あるいは前記第3の電流供給能力に設定して前記メモリセルからデータを読み出すデータ読み出し手段とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

FI (2件)：

G11C 17/00 613 , G11C 17/00 641

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-148802 出願人：松下電器産業株式会社
多値メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-182293 出願人：株式会社東芝
特開昭62-054896

全件表示

前のページに戻る