薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小倉亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-289879
公開番号（公開出願番号）：特開2002-097365
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】【目的】シリコーン系樹脂層の表面にテクスチャー構造をつけることにより光電変換効率を向上させ、可撓性、耐熱性にも優れた薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板を提供する。【構成】この薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板は、Si-O-Si結合を主骨格とし、アルキル基,アルケニル基,フェニル基等が側鎖として付加されたシリコーン系樹脂に平均粒径3〜300nmの無機充填材を5〜30質量%配合したシリコーン系樹脂層が金属基板の表面に形成され、シリコーン系樹脂層の表面粗さがRmax:0.3〜1.5μmに調整されている。無機充填材には、シリカ,酸化チタン,アルミナ等が使用される。

請求項（抜粋）：

一般式で表されるSi-O-Siを主骨格とするシリコーン系樹脂に平均粒径3〜300nmの無機充填材が5〜30質量%の割合で配合されたシリコーン系樹脂層が金属基板の表面に形成されており、該シリコーン系樹脂層の表面粗さRmax:0.3〜1.5μmに調整されていることを特徴とする薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板。

IPC (5件)：

C08L 83/04 , C08K 3/00 , C23C 16/02 , C23C 16/24 , H01L 31/04

FI (5件)：

C08L 83/04 , C08K 3/00 , C23C 16/02 , C23C 16/24 , H01L 31/04 H

Fターム (20件)：

4J002CP031 , 4J002DE136 , 4J002DE146 , 4J002DJ016 , 4J002FD016 , 4J002GQ00 , 4K030BA29 , 4K030BB03 , 4K030BB12 , 4K030CA02 , 4K030DA02 , 4K030FA01 , 4K030HA03 , 4K030HA04 , 4K030LA16 , 5F051AA03 , 5F051GA02 , 5F051GA03 , 5F051GA06 , 5F051GA11

引用特許：

審査官引用 (9件)

光電変換装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-289134 出願人：シャープ株式会社
特開昭64-050472
特許第2663414号

全件表示

前のページに戻る