半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-093300
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266557
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】レーザダイシングプロセスでは、ウエハのブレーキング時にチップがずれて、チップ裏面のコーナ部にチッピングが発生することが問題である。本願は折り曲げ時に半導体チップがずれたり動いたりすることを阻止し半導体装置の信頼性の向上を図る。【解決手段】半導体ウエハ1Wにレーザを照射して半導体ウエハ1Wの内部に破砕層を形成し、さらにダイシングテープ5上に糊(接着層)を介して半導体ウエハ1Wを搭載し、その後、ダイシングテープ5の前記糊をUV照射または冷却によって硬化させ、その後、半導体ウエハ1Wの折り曲げ(ブレーキング)を行うことにより、折り曲げ時に前記糊が硬化しているため、半導体チップ1Cがずれたり動いたりすることを阻止する。その結果、半導体チップ1Cが隣接チップと干渉することも防止でき、チッピングの発生も抑制できるため、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

(a)半導体ウエハにレーザを照射して前記半導体ウエハの内部に破砕層を形成する工程と、 (b)ダイシングテープ上に接着層を介して前記半導体ウエハを搭載する工程と、 (c)前記ダイシングテープの接着層を硬化する工程と、 (d)前記破砕層を起点とし、前記半導体ウエハを折り曲げて分割する工程と、 (e)前記ダイシングテープを外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 X , H01L21/78 B , H01L21/78 Q

引用特許：

出願人引用 (1件)

チップ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-033422 出願人：株式会社東京精密

審査官引用 (8件)

半導体チップの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-239037 出願人：株式会社ディスコ
特開昭63-205383
接着シート
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-124129 出願人：日立化成工業株式会社

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