特許
J-GLOBAL ID：200903054346346947
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-156054
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340431
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 薄型の半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】 外周にリング3bが貼り付けられたテープ3aを半導体ウエハ1Wの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハ1Wの裏面を研削および研磨し、半導体ウエハ1Wを薄くする。その後、そのリング3b付きのテープ3aを剥がすことなく半導体ウエハ1Wの主面に貼り付けたままの状態で半導体ウエハ1Wをダイシング装置に搬送し、半導体ウエハ1Wの裏面側からダイシング処理を施して、半導体ウエハ1Wを半導体チップに分割する。ダイシング処理の切断処理中または切断処理間に、ダイシングブレード8の研削部に目立て用砥石ユニット9を接触させてダイシングブレード8の研削部に対して目立て処理を施す。【選択図】 図16
請求項（抜粋）：
(a)主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
(b)前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
(c)前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、
(d)前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
(e)前記半導体ウエハの主面の切断領域におけるパターンを認識する工程、
(f)前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記(e)工程の後、前記半導体ウエハの裏面から切断領域にダイシング装置の回転するダイシング刃を当てて前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
(g)前記(f)工程後の半導体チップを取り出す工程を有し、
前記(f)工程の切断処理中または切断処理間に、前記ダイシング装置に設けられた目立て手段に前記ダイシング刃を接触させることにより前記ダイシング刃の目立て処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/78 F
, H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
, H01L21/78 Q
出願人引用 (2件)
審査官引用 (13件)
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