特許
J-GLOBAL ID：200903023373435819
半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-239037
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059941
出願日： 2004年08月19日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 ウエーハが貼着されているダイシングテープを拡張することにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って破断する方法を用いた場合、接着フィルムは通常の状態では粘りがあり、張力が作用すると伸びてしまって確実に破断することが困難である。【解決手段】 半導体ウエーハ2の裏面側から分割予定ラインに沿って照射し変質層210を形成する変質層形成工程と、半導体ウエーハ2の裏面に紫外線を照射することにより硬化する接着フィルム6を貼着する接着フィルム貼着工程と、半導体ウエーハ2の接着フィルム6側を環状のフレーム7に装着されたダイシングテープ70に貼着するウエーハ支持工程と、接着フィルム70に紫外線84を照射して硬化せしめる接着フィルム硬化工程と、ダイシングテープ70を拡張することにより半導体ウエーハ2および接着フィルム6を分割予定ラインに沿って破断するテープ拡張工程を含む。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
該半導体ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該半導体ウエーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程が実施された該半導体ウエーハの裏面に紫外線を照射することにより硬化する接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、
該接着フィルム貼着工程が実施された該半導体ウエーハの該接着フィルム側を、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持工程が実施され該ダイシングテープに該半導体ウエーハの該接着フィルム側が貼着された状態で、該ダイシングテープ側から紫外線を照射して該接着フィルムを硬化せしめる接着フィルム硬化工程と、
該接着フィルム硬化工程が実施された後に、該ダイシングテープを拡張することにより該半導体ウエーハおよび該接着フィルムを該分割予定ラインに沿って破断するテープ拡張工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 X
出願人引用 (3件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-354042
出願人：ミツミ電機株式会社
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特許第3408805号公報
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半導体基板の切断方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-351600
出願人：浜松ホトニクス株式会社
審査官引用 (8件)
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