特許
J-GLOBAL ID：200903035715984699

バッファ機構を有する半導体製造装置及び方法

発明者：
山岸 孝幸

山岸 孝幸 について


出願人/特許権者：
日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-222962
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037146
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】低コスト、小フットプリント、小フェースプリント及び高スループットを実現する半導体製造装置を与える。【解決手段】ロードロックチャンバ2とリアクタ1が直接接続し、ロードロックチャンバ2内の搬送アーム3によって、ロードロックチャンバ2からリアクタ1内のサセプタ14上へ半導体ウエハ12が搬送される。リアクタ1内で半導体ウエハ12を一時待機させるためのバッファ機構は、半導体ウエハ12を支持するためのサセプタ14の周囲に配置された少なくとも2つの水平方向に回転する支持手段4、5と、支持手段4、5を垂直方向に支持するための軸手段17と、軸手段17に結合された支持手段4、5を回転させるための回転機構9と、軸手段17を上下に移動するための昇降手段8と、から成る。
請求項（抜粋）：
枚葉式のリアクタを有する半導体製造装置において、前記リアクタ内で半導体ウエハを一時待機させるためのバッファ機構から成り、前記バッファ機構が、前記半導体ウエハを支持するためのサセプタの周囲に配置された少なくとも2つの水平方向に回転する支持手段と、前記支持手段を垂直方向に支持するための軸手段と、前記軸手段に結合された前記支持手段を回転させるための回転機構と、前記軸手段を上下に移動するための昇降手段と、から成るところの装置。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/68 A ,  H01L 21/205
Fターム (32件)：
5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA12 ,  5F031FA14 ,  5F031GA30 ,  5F031GA32 ,  5F031GA43 ,  5F031GA49 ,  5F031HA33 ,  5F031HA58 ,  5F031LA06 ,  5F031LA15 ,  5F031MA04 ,  5F031MA13 ,  5F031MA28 ,  5F031NA05 ,  5F031NA07 ,  5F031PA02 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EB10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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