特許
J-GLOBAL ID：200903035805395439
パターン形成材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273288
公開番号（公開出願番号）：特開平9-189998
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 レジスト膜における露光部の表面に形成される酸化膜のエッジラフネスを改善することにより、レジストパターンの寸法精度を向上させる。【解決手段】 一般式【化1】により表される重合体を含むレジスト形成材料である。前記一般式においてR<SB>1</SB>は水素原子又はアルキル基を示し、R<SB>2</SB> は酸の作用により脱離しやすい疎水性の保護基を示し、R<SB>3</SB> は水素原子又はアルキル基を示し、R<SB>4</SB> 及びR<SB>5</SB> はそれぞれが互いに独立している水素原子、アルキル基、フェニル基若しくはアルケニル基、又は両者で環状となっている環状アルキル基、環状アルケニル基、フェニル基を持つ環状アルキル基若しくは環状アルケニル基を示し、xは0<x<1を満たし、yは0<y<1を満たす。
請求項（抜粋）：
露光により酸を発生させる第1の基と、酸雰囲気下で分解して親水基となる第2の基とを含む重合体から成ることを特徴とするパターン形成材料。
IPC (4件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/38 512
, H01L 21/027
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/38 512
, H01L 21/30 502 R
