窒化物系半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-066624
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259832
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体発光素子は、導電性基板1上に形成されたp型窒化物系半導体各層(p型コンタクト層3、p型クラッド層4およびキャップ層5)と、キャップ層5上に形成された活性層6と、活性層6上に形成されたn型窒化物系半導体各層(n型クラッド層7およびn型コンタクト層8)と、n型コンタクト層8上に形成され、n型クラッド層7およびn型コンタクト層8のキャリア濃度(約5×1018cm-3)よりも低いキャリア濃度を有する光透過層9とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基板の表面上に形成された第1導電型の第1窒化物系半導体層と、前記第1窒化物系半導体層上に形成された窒化物系半導体層からなる活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2窒化物系半導体層と、前記第2窒化物系半導体層上に形成され、前記第2窒化物系半導体層のキャリア濃度よりも低いキャリア濃度を有する窒化物系半導体層からなる光透過層とを備えた、窒化物系半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (4件)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA57

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-148470 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (8件)

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-370658 出願人：シャープ株式会社
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320372 出願人：三洋電機株式会社
発光半導体素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-579374 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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