特許
J-GLOBAL ID：200903035846045477
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
前田 弘
, 竹内 祐二
, 米田 圭啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-109471
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294665
出願日： 2005年04月06日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】電極端子と半導体チップのバンプとを、好適に金属結合させる事ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板本体14と、アクティブマトリクス基板本体14上に設けられた第1電極端子13とを有する第2配線基板50と、突起電極を有する第1ICチップ30とを備えた半導体装置1を製造する方法に関する。第1電極端子13を、端子先端から基板本体方向に向かって広がるように、第2配線基板50上に形成する第1工程と、第1電極端子13の先端部分を突起電極にめり込ませる第2工程とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板本体と、前記基板本体上に設けられた電極端子とを有する第1基板と、
突起電極を有する第2基板と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記電極端子を、端子先端から前記基板本体方向に向かって広がるように、前記第1基板上に形成する第1工程と、
前記電極端子の先端部分を前記突起電極にめり込ませる第2工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, G02F 1/134
, G02F 1/136
H01L21/60 311S
, G02F1/1345
, G02F1/1368
2H092GA40
, 2H092GA50
, 2H092GA59
, 2H092GA60
, 2H092JA24
, 2H092KB04
, 2H092MA32
, 2H092NA15
, 2H092NA18
, 2H092NA28
, 5F044KK01
, 5F044KK11
, 5F044KK17
, 5F044QQ01
, 5F044QQ02
