半導体レーザの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338194
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153657
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】InP基板上に半導体レーザの活性層を含む半導体層を結晶成長により形成し、しかる後にドライエッチングにより活性層を含むストライプを形成するレーザの製造方法において、ドライエッチング時に生じた損傷層を除去し、かつその後の再結晶成長時に障害となるような段差を活性層とクラッド層の間に生じさせない方法の提供。【解決手段】InP基板11上に半導体レーザ(以下単にレーザ)の活性層13を含む半導体層を結晶成長により形成した後にドライエッチングによって活性層13を含むストライプ11を形成し、硫酸をエッチャントとして用いたエッチングによってドライエッチング時に生じた損傷層を除去し、ストライプの両側に半導体層を形成するための再結晶成長を行なう。

請求項（抜粋）：

(a)InP基板上に半導体レーザの活性層を含む半導体層を結晶成長により形成した後にドライエッチングにより前記活性層を含むストライプを形成する工程と、(b)硫酸の水溶液をエッチャントとして用いるエッチングによって前記ドライエッチング時に生じた損傷層を除去する工程と、(c)前記ストライプの両側に半導体層を形成するための再成長を行なう工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-067326 出願人：沖電気工業株式会社
量子細線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077810 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-311824 出願人：松下電器産業株式会社

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